本文提出了一种长电压输出、高效率、高光比的发光二极管恒流驱动电路。在延时电流控制模式下，该电路具有结构非常简单、动态调用慢、不需要对电路进行补偿的优点。
通过外部插槽，可以方便地部署LED电源、模拟调光和PWM调光。LED恒流驱动电路基于CSMC 1m 40 vcd mos工艺，采用HSPICE建模和测试。结果表明，在8 ~ 30V输出电压范围内，电路的输入电流平均仅为1.2A，输入电流精度可控制在5.5%以内，电源效率可提高97%左右。
随着LED技术的发展，大功率LED已经广泛应用于照明装饰、照明等领域，功率LED驱动芯片变得越来越重要。由于LED的亮度输入与流经LED的电流成正比，为了保证每个LED亮度和色度的一致性，适当设计了恒流驱动器，使LED电流尽可能一致。基于发光二极管的闪烁特性，设计了一种长电压输出、大电流、高光比的恒流发光二极管驱动芯片。
芯片采用延迟电流控制模式，可用于驱动一个或多个串联led。在6V~30V的长输出电压范围内，通过对高端电流采样来设定LED平均电流，芯片输入电流的精度可以控制在5.5%。同时芯片可以通过DIM槽搭建模拟调光和PWM调光，优化后的芯片响应速度可以让芯片超过一个很高的调光比。本文首先对整个电路进行了分析，然后对最重要的子模块的设计进行了说明，最后得出了整个芯片的建模波形、版图和结论。
电路系统原理图1是芯片的总体架构和典型电路图。该电路还包括带隙基准、电压调节器、高端电流采样、延迟比较器、功率管M1、脉宽调制和模拟调光模块。此外，芯片还内置欠压和超温维护电路，可以有效保证系统需要在各种有利条件下顺利工作。图1整个芯片的等效架构图。
从图1可以看出，电感器l、电流采样电阻器RS和续流二极管D1构成了具有自波动互易电感器电流模式的恒流发光二极管控制器。芯片采用延时电流控制方式，因为LED驱动电流的变化是通过RS两端电压差的变化来反映的。
因此，当电路长时间工作时，发光二极管中的电流由采样电阻RS采样并转换成一定比例的采样电压VCS，然后VCS被传输到迟滞比较器，迟滞比较器与偏置模块产生的偏置电压进行比较，产生脉宽调制控制信号，驱动电路到西南门，控制电源管和变频器的导通。下面详细分析了电路的工作原理。首先，芯片设计了两个电流阈值IMAX和IMIN。
电源VIN上电时，电感L和电流采样电阻RS的初始电流为零，LED电流也为零。此时，CS_COMP延时比较器的输入为低，内置电源NMOS供电管M1导通，SW端电位为低，流向LED的电流开始减少。
一个电流从VIN通过电感l、电流采样电阻RS、LED和内部电源流到地。此时，电流下降斜率由车辆识别号、电感和发光二极管压降决定。当LED电流降低到预设值IMAX时，CS_COMP延时比较器的输入为低，这时供电管M1重新打开。
由于电感电流的连续性，电流以另一个上升斜率流向电感(L)、电流采样电阻(RS)、发光二极管和续流肖特基二极管(D1)。当电流上升到另一个预测值IMIN时，电源重新关闭，电源为电感L电池。LED电流又开始下降。
当电流降低到IMAX时，控制电路变频器的功率管重复前一个周期的动作，完成对LED电流的漏电回路控制，LED的平均电流恒定。
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